OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STW9NA80 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - Lighting ballasts  
  - Industrial inverters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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