**Part Number:** STW8NB90  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Description:**  
The STW8NB90 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speed, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage applications.  

**Features:**  
- High voltage capability (900V)  
- Low gate charge  
- Low on-resistance  
- Fast switching performance  
- High dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved body diode characteristics  
- TO-247 package for efficient thermal management  

This MOSFET is optimized for high-efficiency and high-reliability applications in industrial and automotive environments.