N The STW8NB80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **R_DS(on) (Max):** 1.2Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STW8NB80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low R_DS(on):** Improves efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

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