STW80NF55-08

N-CHANNEL 55V The **STW80NF55-08** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- The **STW80NF55-08** is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and other high-power applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **TO-247 package** for better thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 55V