N-channel 650 V, 0.033 Ohm, 69 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-247 The **STW77N65M5** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 77A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 308A  
- **Power Dissipation (P_D):** 500W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.029Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 180nC (typ at V_DS = 400V, I_D = 77A)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications (650V).  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses (R_DS(on) as low as 0.029Ω).  
- **Fast Switching:** MDmesh™ M5 technology ensures high switching performance.  
- **High Current Handling:** Supports up to 77A continuous drain current.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-247 package provides efficient heat dissipation.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for demanding applications.  

This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor drives, and industrial applications** requiring high efficiency and reliability.  

(Note: All data is sourced from STMicroelectronics' official documentation.)

N-channel 650 V, 0.033 Ohm, 69 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-247