N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-247 The **STW70N10F4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **STW70N10F4** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** capability.  
- **Fast switching** performance due to low gate charge.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  
- **TO-247 package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application-specific considerations, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-247