N The STW6NB90 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STW6NB90 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for Enhanced Thermal Performance**  

This MOSFET is optimized for high-reliability applications requiring robust performance under high-voltage conditions.

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