N The STW6NB100 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 - 4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typ)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- The STW6NB100 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The TO-247 package ensures good thermal dissipation.  
- Avalanche ruggedness enhances reliability in harsh conditions.  

This information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet for the STW6NB100.

N