N-CHANNEL 1000V The STW5NK100Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW5NK100Z is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (1000V)  
- Low input capacitance for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- TO-247 package for efficient thermal dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 1000V