N - CHANNEL 900V - 2.3ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MOSFET The STW5NB90 is an N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW5NB90 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N - CHANNEL 900V - 2.3ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MOSFET