N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) The STW55NM60ND is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics in the TO-247 package.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy avalanche conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensured reliability under harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and industrial applications.  

The TO-247 package provides efficient thermal dissipation and mechanical robustness.

N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode)