N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247 The STW55NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028 Ω (typical) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STW55NM60N is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and high efficiency in power conversion systems.  
- The device is housed in a TO-247 package, providing robust thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for high-power applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability under extreme conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247