N-channel 500 V, 0.040 Ω, 54 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-247 The STW55NM50N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW55NM50N is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance for high efficiency**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-247 package for high power dissipation**  

The information provided is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 500 V, 0.040 Ω, 54 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-247