N-CHANNEL 500 V The STW47NM50 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 47A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 188A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW47NM50 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-current applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 500 V