N-channel 600V The STW43NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 38 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 152 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.043 Ω (max at VGS = 10 V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2400 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 35 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  
### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **MDmesh™ II Technology:** Enhances efficiency and ruggedness.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and industrial applications.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.