N-CHANNEL 200V The STW40N20 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.055Ω (at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW40N20 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 40A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks.  
- **Low Gate Charge:** Enables efficient driving.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 200V