N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STW38NB20 is an N-channel power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 38A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 152A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW38NB20 is a high-voltage, high-current N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for efficiency in high-power circuits, such as motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET