N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STW34NB20** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 34A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 136A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 600mJ  

### **Description:**
The **STW34NB20** is an **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-resistance**, **fast switching speed**, and **high ruggedness**, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**
- **Low gate charge** for reduced switching losses  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency  
- **100% avalanche tested** for reliability  
- **Fast intrinsic diode** for reduced reverse recovery losses  
- **TO-247 package** for high power handling  

For detailed electrical characteristics and thermal data, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET