N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK The STW30NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW30NM60N is a N-channel 600V power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ technology. It is designed for high-efficiency switching applications, offering low on-resistance and fast switching performance. The device is suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Fast Intrinsic Diode:** Reduces reverse recovery losses.  
- **TO-247 Package:** Allows for high power dissipation and easy mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK