N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-247 The **STW30N65M5** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ M5  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 95nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage applications up to 650V.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient conduction with R_DS(on) as low as 0.045Ω.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **MDmesh™ M5 Technology:** Enhances performance with reduced switching losses and improved thermal behavior.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy avalanche conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and other high-efficiency switching applications.  

This MOSFET is suitable for industrial, automotive, and consumer electronics requiring high power efficiency and reliability.

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-247