N-CHANNEL 500 V The STW29NK50Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 29A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 116A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.13Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 70ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  
### **Descriptions:**  
- The STW29NK50Z is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current capability, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low Gate Charge**  
- **Enhanced Body Diode Performance**  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.