### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** MDmesh™ (ST’s advanced power MOSFET technology for high efficiency)  
- **Package:** TO-247  
- **Application:** Designed for high-power switching applications such as power supplies, motor control, and inverters.  
- **Features:**  
  - Low gate charge  
  - Fast switching performance  
  - High ruggedness and avalanche capability  
  - Low conduction losses  

This MOSFET is optimized for high-voltage, high-current applications requiring efficient power handling.