N-CHANNEL 500V The STW26NM50 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STW26NM50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching** for high-frequency operation  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **100% avalanche tested** for robustness  
- **TO-247 package** for high power dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 500V