N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The STW25NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STW25NM60N is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for reliability  
- Improved dv/dt capability for noise immunity  
- Fast intrinsic diode for reduced switching losses  
- Suitable for high-frequency applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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