N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247 The STW24NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STW24NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low intrinsic capacitances for reduced switching losses  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability  
- 100% avalanche tested for robustness  
- High dv/dt capability for noise immunity  

These details are based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247