N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-247 package The STW21NM60ND is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 51A  
- **Power Dissipation (P_D):** 170W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW21NM60ND is a high-voltage MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability under high-energy pulses.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-247 package