N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 The STW21N65M5 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW21N65M5 is a high-voltage N-channel Power MOSFET based on STMicroelectronics' MDmesh™ M5 technology. It is designed for high-efficiency power switching applications, offering low conduction and switching losses. The device is suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ M5 Technology:** Optimized for high efficiency and ruggedness.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Performance:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet for the STW21N65M5.

N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247