N-CHANNEL 600V 0.26 OHM 20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESH POWER MOSFET The STW20NM60FD is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II Fast Diode  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 55nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The STW20NM60FD is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features STMicroelectronics' MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and fast switching performance.  
- The integrated fast recovery diode reduces switching losses in hard-switching applications.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for improved switching performance.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast intrinsic diode** for improved efficiency in hard-switching topologies.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** to ensure robustness.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 600V 0.26 OHM 20A TO-220 TO-220FP TO-247 FDMESH POWER MOSFET