N-CHANNEL 500V 0.22 OHM 20A TO-247 FDMESH POWER MOSFET The STW20NM50FD is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW20NM50FD is an N-channel Power MOSFET based on ST's MDmesh™ technology, optimized for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance, low gate charge, and excellent switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Ensures low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability in avalanche mode.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 500V 0.22 OHM 20A TO-247 FDMESH POWER MOSFET