N-CHANNEL 500V The **STW20NK50Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Here are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.22Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ (ST's advanced high-voltage MOSFET technology)  
- **Package:** TO-247  
- **Mounting Type:** Through Hole  
### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Suitable for applications up to 500V.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Provides high energy capability during inductive switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Facilitates easier drive circuit design.  
This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor control, and industrial applications** requiring high voltage and current handling.