N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 The STW18NM60N is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** STW18NM60N  

### **Specifications:**  
- **Technology:** MDmesh™ (Advanced Power MOSFET)  
- **Channel Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typ at V_DS = 400V, I_D = 18A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The STW18NM60N is a high-voltage N-channel Power MOSFET based on ST’s MDmesh™ technology, optimized for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance, fast switching, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High dv/dt capability** for robust performance  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Improved body diode characteristics** for reduced reverse recovery losses  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are provided.

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247