N-CHANNEL 600V The STW18NK60Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 170W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V, I_D = 9A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 270pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW18NK60Z is a N-channel 600V power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **Zener-protected:** Built-in gate-source Zener diode for enhanced reliability.  
- **Low gate charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche rugged:** Capable of handling high-energy transients.  
- **100% avalanche tested:** Ensured robustness in harsh conditions.  
- **TO-247 package:** Provides good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-CHANNEL 600V