N-CHANNEL 900V 0.40 OHM 15A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The **STW15NK90Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 60A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 42nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  
### **Descriptions:**
- The **STW15NK90Z** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low on-resistance**, **fast switching speed**, and **high ruggedness**, making it suitable for demanding power conversion systems.  
- The device is optimized for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies)**, **motor control**, and **industrial applications**.  
### **Features:**
- **High voltage capability (900V)** for robust performance in high-power circuits.  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** to ensure consistent performance.  
- **Low thermal resistance** due to the **TO-247 package**, enhancing heat dissipation.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.