N-CHANNEL 500V 0.31OHM 14A TO-247 POWERMESH II MOSFET The **STW14NC50** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**
The **STW14NC50** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor drives, and inverters, offering low conduction losses and fast switching performance.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance in high-power circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance for high-power dissipation.  

This information is derived from the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application-specific considerations, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-CHANNEL 500V 0.31OHM 14A TO-247 POWERMESH II MOSFET