N-CHANNEL 950V The STW12NK95Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 950V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.65Ω (typical) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to 150°C  
### **Description:**  
The STW12NK95Z is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other industrial applications requiring high breakdown voltage and low on-resistance.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (950V)**  
- **Low On-Resistance (0.65Ω typical)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for Enhanced Thermal Performance**  
This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STW12NK95Z. For detailed application notes and reliability data, refer to the official documentation.