N-CHANNEL 800 V The STW11NM80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The STW11NM80 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions  
- **Fast Switching Performance:** Reduces power losses  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 800 V

N-CHANNEL 800 V The STW11NM80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STW11NM80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance in high-voltage circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness for reliable operation in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance for high-power dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL 800 V

N-CHANNEL 800 V The STW11NM80 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW11NM80 is a high-voltage, N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of withstanding high-energy avalanche conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for improved switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Suitable for high-power applications with good thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.

N-CHANNEL 800 V