N-channel 900 V, 0.82 Ohm typ., 9.2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in a TO-247 package The STW11NK90Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW11NK90Z is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (900V)**  
- **Low gate charge**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **100% avalanche tested**  

### **Package:**  
- **TO-247** (3-pin through-hole package)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 900 V, 0.82 Ohm typ., 9.2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in a TO-247 package