N-CHANNEL 1000V 1.1 OHM 8.3A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STW11NK100Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STW11NK100Z is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (1000V)**  
- **Low On-Resistance (0.45Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-247 Package**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 1000V 1.1 OHM 8.3A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET