N-channel 24 V, 0.8 mOhm, 120 A PowerSO-10 The **STV300NH02L** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances switching performance.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and automotive systems.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STV300NH02L MOSFET.

N-channel 24 V, 0.8 mOhm, 120 A PowerSO-10