### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 800V applications.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STU9NB80 MOSFET.