### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Typically 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (Typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (Typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (Typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (Typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (Typical)  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The **STU6NA90** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (900V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High ruggedness and reliability  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.