P-CHANNEL 30V The STT3PF30L is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ F7  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.2V (Min) – 2.2V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerFLAT™ 5x6  

### **Descriptions:**  
The STT3PF30L is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features ST's advanced STripFET™ F7 technology, which ensures low on-resistance and high efficiency. The PowerFLAT™ 5x6 package offers excellent thermal performance and a compact footprint, making it suitable for space-constrained applications.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (30A continuous, 120A pulsed)  
- Optimized for switching applications  
- Low gate charge for fast switching performance  
- Enhanced thermal performance due to PowerFLAT™ package  
- AEC-Q101 qualified (if applicable)  
- Suitable for automotive and industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-CHANNEL 30V