N-CHANNEL 100 V The STT1NF100 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** STT1NF100  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STT1NF100 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It features a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals  
- Fast switching performance  
- Low input and output capacitances  
- ESD protection (HBM: 2kV)  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 100 V