### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High current gain  
- Low noise  
- Suitable for amplification and switching applications  
- Small signal transistor  

### **Package:**  
- **TO-92** (common through-hole package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.