### **Manufacturer:**  
- **Samsung**  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -0.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) range.  
- Suitable for low-power circuits.  
- TO-92 package (common through-hole mounting).  

This information is based on standard datasheet specifications. For exact details, refer to the manufacturer's documentation.