Dual N-channel 30 V, 0.0155 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) V Power MOSFET in a SO-8 package The **STS8DN3LLH5** is a Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **R_DS(on) (Max):** 30 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for reduced drive losses  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for power management applications  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power switches  
- Battery management systems  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **STS8DN3LLH5** MOSFET. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

Dual N-channel 30 V, 0.0155 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) V Power MOSFET in a SO-8 package

Dual N-channel 30 V, 0.0155 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) V Power MOSFET in a SO-8 package The **STS8DN3LLH5** is a **Power MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics (STM)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** STripFET™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **R_DS(on) (Max):** 40mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerFLAT™ 5x6  

### **Features:**  
- Low threshold drive  
- Low on-resistance  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power management applications  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power switches  
- Battery management  

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion and switching applications.

Dual N-channel 30 V, 0.0155 Ohm typ., 10 A STripFET(TM) V Power MOSFET in a SO-8 package