STS5N15F3

N-channel 150 V, 0.045 Ω, 5 A, SO-8 STripFET͐2;2; III Power MOSFET The **STS5N15F3** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 15V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.6V (min) - 1.2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 15ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The **STS5N15F3** is a **low-voltage N-channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance and fast switching performance**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- The device is housed in a **SOT-23** package, providing a compact footprint for space-constrained designs.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for reduced driving losses.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **ESD Protection** for improved reliability.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. For detailed application notes, refer to the official **STMicroelectronics documentation**.

N-channel 150 V, 0.045 Ω, 5 A, SO-8 STripFET͐2;2; III Power MOSFET