N-CHANNEL 150V The STS5N150 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.7Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The STS5N150 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-state resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The information provided is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 150V