### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel 30 V, 0.03 Ω, 25 A STripFET II Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.03 Ω @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

This MOSFET is part of STMicroelectronics' **STripFET II** series, designed for high-performance power switching.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **R_DS(on)GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power management.  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC converters.  
- ESD protection for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.