### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1 A per diode  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A  
- **Reverse Voltage (VR):** 80 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (typical) at 1 A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (maximum) at 80 V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +150°C  
- **Package:** SMB (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures high efficiency in power applications.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient protection.  
- **Fast Switching:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Dual Common Cathode Configuration:** Compact design for space-saving PCB layouts.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This diode is commonly used in **power rectification, DC-DC converters, reverse polarity protection, and freewheeling applications**.  

Would you like additional details on any specific parameter?

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (per channel)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.18Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Package:** **PowerFLAT 3.3x3.3 (Dual)**  
- **Technology:** **STripFET™ VII**  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **power management, motor control, and DC-DC conversion** applications.